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安森美半導(dǎo)體推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列,提供領(lǐng)先市場的電流密度和全集成的MOSFET ————FAN6

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放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2018-07-04   瀏覽次數(shù):977
核心提示:2018年6月26日 —推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器。

2018年6月26日 —推進(jìn)高能效立異的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器。

安森美半導(dǎo)體新的FAN6500X 降壓轉(zhuǎn)換器系列支撐4.5 V至65 V的寬輸出電壓規(guī)模,輸入電流高達(dá)10 A,輸入功率為100 W,聯(lián)合閱歷時光測試的固定頻率掌握辦法與靈巧的Type III賠償和強(qiáng)固的毛病掩護(hù)。安森美半導(dǎo)體集成了PowerTrench® MOSFET技巧,以創(chuàng)立一種強(qiáng)固的集成計劃,為DC-DC運(yùn)用供給搶先業(yè)界的功率密度和能效。

FAN65008B/5A/4B PWM 降壓轉(zhuǎn)換器聯(lián)合安森美半導(dǎo)體的PowerTrench MOSFET工藝與搶先業(yè)界的封裝技巧在一個四方扁平無引線(PQFN)封裝中,供給電源途徑上極低的寄失效應(yīng),使開辟人員可以或許完成98.5%的峰值能效,比應(yīng)用一個內(nèi)部MOSFET的計劃具有更低的振鈴和更好的電磁攪擾(EMI)。

這三個器件都支撐4.5 V至65 V的寬輸出電壓規(guī)模,實用于工業(yè)和花費電子范疇的普遍運(yùn)用,從基站電源抵家庭主動化。它們也實用于電池治理體系,和USB供電(PD)運(yùn)用。集成兩個LDO和一個片上電源途徑開關(guān)使設(shè)計人員能靈巧地應(yīng)用電源途徑從輸出電壓、降壓轉(zhuǎn)換器輸入或經(jīng)由過程PVCC引腳為掌握器供電。

高集成度使制作商可以采取FAN6500x系列在功率密度、物料單(BoM)本錢、機(jī)能和靈巧性之間獲得恰當(dāng)?shù)木狻0采腊雽?dǎo)體經(jīng)由過程充足應(yīng)用PowerTrench MOSFET技巧,勝利地處理開辟人員希冀電源治理計劃可供給的癥結(jié)特征。

FAN6500x系列完成了一系列周全的功效以掩護(hù)器件自己和任何下流電路不受傷害。這些掩護(hù)功效包含可調(diào)過流掩護(hù)、熱關(guān)斷、過壓掩護(hù)和短路掩護(hù)。

安森美半導(dǎo)體挪動、盤算和云分部副總裁Richard Lu說:“跟著FAN6500X系列器件的宣布,安森美半導(dǎo)體已臨盆了一系列強(qiáng)固的計劃,以搶先業(yè)界的能效、功率密度和靈巧性贊助客戶知足他們的中壓DC-DC需求。”

安森美半導(dǎo)體供給配套的評價板(FAN65004B-GEVB、FAN65005A-GEVB和FAN65008B-GEVB)。請接洽您的安森美半導(dǎo)體發(fā)賣代表以請求評價板。


封裝和訂價

FAN65004B系列采取PQFN-35封裝,每3000片批量的單價為2.68美元。欲懂得更詳實的產(chǎn)物信息,請拜訪公司網(wǎng)站。


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